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Le futur de la 5G porté par notre recherche

Innovation - Recherche

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29/03/2021

L’institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN),  laboratoire de l’Université de Lille coordonne un important projet de développement de composants basé  sur le semi-conducteur  nitrure de gallium. 


C’est une technologie qui intéresse les militaires mais devrait également bénéficier aux entreprises civils. Le nitrure de gallium (GaN), un semi-conducteur encore peu répandu en électronique mais en pleine émergence, pourrait aider les premiers à considérablement améliorer la précision et la compacité des systèmes radars, d’antennes actives ou des systèmes de guerre électronique. Mais il pourrait aussi soutenir le déploiement des futures infrastructures de télécommunication 5G et, entre autres, de couvrir des zones reculées dépourvues de système de communication sans fils.

C’est là tout l’intérêt du financement à hauteur de 1,6 millions d’euros que vient d’annoncer le ministère des Armées au projet GREAT¹ coordonné par l'IEMN. En partenariat avec trois autres laboratoires et deux industriels (voir encadré), le programme va développer des composants électroniques basés sur le nitrure de gallium, suite à d’excellents résultats. En mars 2021 en effet, les résultats de l’équipe ont fait la une d’un des principaux magazines de semi-conducteurs, Compound Semiconductor (CS).


En savoir plus sur ce projet : ICI


Un panel varié de partenaires scientifiques et industriels

La technicité de ce genre de projet implique de réunir des compétences à la fois pointues et variées, dans le milieu scientifique comme industriel. L’équipe de l’IEMN conçoit toute la fabrication de ces transistors et en explore les performances de manière très poussée. La qualité des matériaux étant primordiale, ce sont à l’institut Lavoisier de Versailles (ILV), en collaboration avec le centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N), d’en analyser très finement les caractéristiques. Quant à l’institut de recherche de Limoges (XLIM), il permettra de tester les transistors en conditions opérationnelles, au sein de prototypes de composants électroniques.

Partenaire du projet, la société franco-allemande UMS est un fabricant de composants électroniques − une « fonderie ». Elle utilisera pour la fabrication un procédé partagé avec l’IEMN et mis au point par ce dernier. L’autre partenaire est l’une des principales sociétés de micro-électronique en France, SOITEC, qui maîtrise notamment la production industrielle de ces empilements de couches minces de semi-conducteurs.


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